Բարձր արդյունավետությամբ ցողուններ՝ ատոմայինորեն հարթ և առանց թերությունների SiC (սիլիկոնի կարբիդ) վաֆլիների արտադրության համար, հատուկ նախագծված SiC երեսով, C-դեմքով և մեկ կամ բազմաբյուրեղ մակերևույթներով SiC վաֆլիները փաթաթելու կամ մեխանիկորեն փայլեցնելու համար, օպտիմիզացված լուծումներ խմբաքանակի և առանձին մակերևույթների համար: - վաֆլի CMP համակարգեր, որոնք ապահովում են սեփականության բարձր արժեք, ցուրտները ներառում են առաջադեմ հավելումներ, որոնք ապահովում են փայլեցման գերբարձր արագություն, մինչև 10 անգամ ավելի արագ, քան առկա գործընթացները՝ պահպանելով միատեսակությունը և առանց ենթամակերևույթի վնասների: