Silicon Carbide Lapping Film-ը պատված է ճշգրիտ դասավորված սիլիցիումի կարբիդի փոշիով բարձր ամրության պոլիեսթեր հիմքի վրա՝ ապահովելով միատեսակ, հետևողական ավարտ: Հասանելի է 1-30 մկմ դասակարգերով՝ PSA (ճնշման զգայուն սոսինձով) հիմքով կամ առանց: Սիլիցիումի կարբիդով ծածկող թաղանթները խճճված կամ պատված SiC հղկող թաղանթներ են, որոնք նախագծված են այնպես, որ հղկող նյութն ունենա մեծ թվով կտրող կետեր (հղկող հղկող աստիճանի անկյուն): . Սա ձեռք է բերվում հղկող մասնիկները հավասարեցնելով թիկունքին մոտավորապես նորմալ: Նկատի ունեցեք, որ ծածկված հղկող նյութերը այնքան էլ հարթ չեն, հետևաբար SiC թղթերը տալիս են առավելագույն արդյունավետություն (կտրման արագություն, պահեստի հեռացում և նվազագույն վնաս), քանի որ նոր հղկանյութը մերկացվում է, քանի որ հին հղկող նյութը քայքայվում է: