原子的に滑らかで欠陥のない SiC (炭化ケイ素) ウェーハのスケーラブルな製造のための高性能スラリー Si 面、C 面、および単結晶または多結晶表面の SiC ウェーハのラッピングまたは機械研磨用に特別に設計された、バッチおよびシングル用に最適化されたソリューション- 所有コストの向上を実現するウェーハ CMP システム。スラリーには、均一性を維持し、表面下の損傷をなくしながら、既存のプロセスよりも最大 10 倍高速な超高速研磨速度を提供する高度な添加剤が含まれています。