Высокоэффективные суспензии для масштабируемого производства атомарно гладких и бездефектных пластин SiC (карбид кремния). Специально разработаны для притирки или механической полировки пластин SiC с Si-гранью, C-гранью и одинарными или поликристаллическими поверхностями. -Системы CMP с пластинами, обеспечивающие повышенную стоимость владения. Шламы включают передовые добавки, которые обеспечивают сверхвысокую скорость полировки, до 10 раз быстрее, чем существующие процессы, при сохранении однородности и отсутствии повреждений под поверхностью.